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IRFIB7N50APBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Vishay doc91176.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
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27+6.53 EUR
42+3.92 EUR
50+3.52 EUR
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IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Vishay doc91176.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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42+4.07 EUR
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IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Vishay Semiconductors sihfib7n.pdf MOSFETs TO220 500V 6.6A N-CH MOSFET
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IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF Vishay Siliconix sihfib7n.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
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3+9.21 EUR
50+4.78 EUR
100+4.36 EUR
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Hersteller: Vishay
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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