
IRFIBC30GPBF VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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46+ | 1.57 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
250+ | 1.04 EUR |
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Technische Details IRFIBC30GPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFIBC30GPBF nach Preis ab 1.04 EUR bis 4.44 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRFIBC30GPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIBC30GPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIBC30GPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIBC30GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1568 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFIBC30GPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIBC30GPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIBC30GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFIBC30GPBF Produktcode: 127485
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IRFIBC30GPBF | Hersteller : Vishay |
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