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IRFIBC30GPBF

IRFIBC30GPBF Vishay

91180.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Technische Details IRFIBC30GPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
58+1.24 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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51+1.42 EUR
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Hersteller : Vishay 91180.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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127+1.09 EUR
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Hersteller : Vishay Siliconix 91180.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
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50+2.56 EUR
100+2.19 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91180.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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1+4.44 EUR
10+3.92 EUR
25+2.78 EUR
100+2.57 EUR
250+2.53 EUR
500+2.31 EUR
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IRFIBC30GPBF
Produktcode: 127485
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