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IRFIBC30GPBF

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Produktcode: 127485
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Vishay 91180.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 312 Stücke:
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189+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Vishay 91180.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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92+1.95 EUR
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Vishay 91180.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Vishay 91180.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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75+2.38 EUR
189+0.87 EUR
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Vishay 91180.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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73+2.46 EUR
250+2.3 EUR
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Vishay 91180.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Vishay Siliconix 91180.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
auf Bestellung 1568 Stücke:
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6+3.86 EUR
50+3.05 EUR
100+2.61 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF Vishay Semiconductors 91180.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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1+5.28 EUR
10+4.66 EUR
25+3.31 EUR
100+3.06 EUR
250+3.01 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.73 EUR
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IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF VISHAY IRFIBC30GPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 433 Stücke:
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IRFIBC30GPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIBC30GPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFIBC30GPBF
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Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
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1+5.28 EUR
10+4.66 EUR
25+3.31 EUR
100+3.06 EUR
250+3.01 EUR
500+2.75 EUR
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IRFIBC30GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
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