IRFL014NTRPBF
Produktcode: 23060
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.300
JHGF: SMD
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Technische Details IRFL014NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:1.9A
- On Resistance, Rds(on):160mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Package/Case:223-SOT
- Power Dissipation, Pd:2.1W
Weitere Produktangebote IRFL014NTRPBF nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC |
auf Bestellung 49589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V |
auf Bestellung 13836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL014NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL014NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFL014NTRPBF | Hersteller : International Rectifier |
HEXFET N-CH 55 V 1.9 A 140 mOm SOT-223 PbFree Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFL014NTRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 1,9 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 190 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFL014NTRPBF | Hersteller : TECH PUBLIC |
HEXFET N-CH 55 V 1.9 A 140 mOm SOT-223 PbFree Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFL014NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 1.9A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
Produkt ist nicht verfügbar |