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IRFL014NTRPBF

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Produktcode: 23060
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.300
JHGF: SMD
verfügbar: 12 St.
    AnzahlPreis
    1+0.5 EUR
    10+0.39 EUR
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    Technische Details IRFL014NTRPBF IR

    • MOSFET
    • Transistor Type:MOSFET
    • Transistor Polarity:N Channel
    • Continuous Drain Current, Id:1.9A
    • On Resistance, Rds(on):160mohm
    • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
    • Package/Case:223-SOT
    • Power Dissipation, Pd:2.1W

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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
    IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 72500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+0.32 EUR
    5000+0.27 EUR
    7500+0.26 EUR
    12500+0.25 EUR
    17500+0.23 EUR
    25000+0.22 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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    IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 62500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+0.32 EUR
    5000+0.28 EUR
    7500+0.27 EUR
    12500+0.26 EUR
    17500+0.25 EUR
    25000+0.24 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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    IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac description Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
    auf Bestellung 12500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2500+0.37 EUR
    5000+0.34 EUR
    7500+0.32 EUR
    12500+0.31 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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    IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 2665 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    190+0.77 EUR
    261+0.55 EUR
    500+0.41 EUR
    1000+0.37 EUR
    2500+0.28 EUR
    Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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    IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac description Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
    auf Bestellung 13836 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    12+1.48 EUR
    20+0.93 EUR
    100+0.6 EUR
    500+0.46 EUR
    1000+0.42 EUR
    Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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    IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFL014N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
    auf Bestellung 48989 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+1.66 EUR
    10+1.04 EUR
    100+0.68 EUR
    500+0.54 EUR
    1000+0.47 EUR
    2500+0.42 EUR
    5000+0.37 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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    IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 55V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 1W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-223
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
    auf Bestellung 5947 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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    IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 55V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 1W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-223
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
    auf Bestellung 5947 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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    IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
    IRFL014NTRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 72500 Stücke:
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    AnzahlPreis
    2500+0.32 EUR
    5000+0.27 EUR
    7500+0.26 EUR
    12500+0.25 EUR
    17500+0.23 EUR
    25000+0.22 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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    IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
    IRFL014NTRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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    5000+0.28 EUR
    7500+0.27 EUR
    12500+0.26 EUR
    17500+0.25 EUR
    25000+0.24 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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    IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac
    IRFL014NTRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
    auf Bestellung 12500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPreis
    2500+0.37 EUR
    5000+0.34 EUR
    7500+0.32 EUR
    12500+0.31 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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    IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
    IRFL014NTRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 2665 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPreis
    190+0.77 EUR
    261+0.55 EUR
    500+0.41 EUR
    1000+0.37 EUR
    2500+0.28 EUR
    Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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    IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac
    IRFL014NTRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
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    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Active
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    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
    auf Bestellung 13836 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPreis
    12+1.48 EUR
    20+0.93 EUR
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    1000+0.42 EUR
    Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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    IRFL014NTRPBF description Infineon_IRFL014N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
    IRFL014NTRPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
    auf Bestellung 48989 Stücke:
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    AnzahlPreis
    2+1.66 EUR
    10+1.04 EUR
    100+0.68 EUR
    500+0.54 EUR
    1000+0.47 EUR
    2500+0.42 EUR
    5000+0.37 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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    IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
    IRFL014NTRPBF
    Hersteller: INFINEON
    Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 55V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 1W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-223
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
    auf Bestellung 5947 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
    IRFL014NTRPBF
    Hersteller: INFINEON
    Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 55V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 1W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-223
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
    auf Bestellung 5947 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH