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IRFL014NTRPBF

IRFL014NTRPBF

infineon-irfl014n-datasheet-en.pdf
Produktcode: 23060
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/11
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
2+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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Technische Details IRFL014NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:1.9A
  • On Resistance, Rds(on):160mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Package/Case:223-SOT
  • Power Dissipation, Pd:2.1W

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 97500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
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IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfl014n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.49 EUR
7500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 97500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies infineon_irfl014n_datasheet_en.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
auf Bestellung 42240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+0.86 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfl014n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
auf Bestellung 19068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
50+0.89 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 14572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
228+1.02 EUR
258+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 14872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
228+1.02 EUR
258+0.83 EUR
500+0.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 97500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2665 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 399 Stücke
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IRFL014NTRPBF description infineon-irfl014n-datasheet-en.pdf
IRFL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
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Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.49 EUR
7500+0.43 EUR
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IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 97500 Stücke:
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IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
auf Bestellung 42240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.87 EUR
10+0.86 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
auf Bestellung 19068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
50+0.89 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 14572 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
106+2.38 EUR
228+1.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 14872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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