IRFL024NTRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.37 EUR |
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Technische Details IRFL024NTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFL024NTRPBF nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRFL024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFL024NTRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 |
auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFL024NTRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 2,8 А; Ptot, Вт = 1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18,3 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223 |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFL024NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFL024NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
Produkt ist nicht verfügbar |