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IRFL024NTRPBF

IRFL024NTRPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details IRFL024NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFL024N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
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10+0.92 EUR
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500+0.54 EUR
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IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 48 Stücke:
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IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFL024NTRPBF International Rectifier irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Транзистори
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFL024NTRPBF International Rectifier/Infineon irfl024npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18,3 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 155 Stücke:
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IRFL024NTRPBF INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: International Rectifier
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