IRFL024Z NKGLBDT
Hersteller: NKGLBDT
Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024ZTR TIRFL024z c
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Technische Details IRFL024Z NKGLBDT
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223, Packaging: Tube, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| IRFL024Z | Infineon |
Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024ZTR TIRFL024z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFL024Z |
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Hersteller: Infineon
Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024ZTR TIRFL024z
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Transistor N-MOSFET; Unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; 57,5m?; -55°C ~ 150°C; IRFL024ZTR TIRFL024z
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