IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.46 EUR |
| 5000+ | 0.39 EUR |
| 7500+ | 0.37 EUR |
| 12500+ | 0.36 EUR |
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Technische Details IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Weitere Produktangebote IRFL024ZTRPBF nach Preis ab 0.33 EUR bis 2.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 21324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 55971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL024ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm |
auf Bestellung 6351 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm |
auf Bestellung 10201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 33 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFL024ZTRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 14, Rds = 57,5 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-261AA Очікується: 35 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 38 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFL024ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.52 EUR |
| IRFL024ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.54 EUR |
| 5000+ | 0.49 EUR |
| 7500+ | 0.46 EUR |
| 12500+ | 0.44 EUR |
| 17500+ | 0.43 EUR |
| 25000+ | 0.42 EUR |
| IRFL024ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.58 EUR |
| 5000+ | 0.52 EUR |
| 7500+ | 0.48 EUR |
| IRFL024ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.58 EUR |
| IRFL024ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 233+ | 1.12 EUR |
| IRFL024ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 21324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 127+ | 1.38 EUR |
| 171+ | 1 EUR |
| 236+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| 2500+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.35 EUR |
| 7500+ | 0.33 EUR |
| IRFL024ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
MOSFETs MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.96 EUR |
| 10+ | 1.2 EUR |
| 100+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 2500+ | 0.5 EUR |
| 5000+ | 0.44 EUR |
| IRFL024ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 55971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.09 EUR |
| 16+ | 1.31 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| IRFL024ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
auf Bestellung 6351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 119+ | 2.11 EUR |
| 174+ | 1.33 EUR |
| 254+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| IRFL024ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
auf Bestellung 10201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 96+ | 2.62 EUR |
| 158+ | 1.48 EUR |
| 212+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| IRFL024ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFL024ZTRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFL024ZTRPBF |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 14, Rds = 57,5 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-261AA Очікується: 35 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 14, Rds = 57,5 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-261AA Очікується: 35 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 38 Stücke: