IRFL024ZTRPBF

IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies


irfl024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627dcd91fb2 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Technische Details IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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244+0.56 EUR
316+0.42 EUR
330+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.25 EUR
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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFL024Z_DataSheet_v01_01_EN-3363033.pdf MOSFETs MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
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2500+0.37 EUR
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Hersteller : INFINEON 717253.pdf Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0462 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0462ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Hersteller : INFINEON 717253.pdf Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0462 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-223
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0462ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE3F07F0275EA&compId=IRFL024ZTRPBF.pdf?ci_sign=8c23d246f7a2ed4b15ce6df643c8a84d048dd9c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE3F07F0275EA&compId=IRFL024ZTRPBF.pdf?ci_sign=8c23d246f7a2ed4b15ce6df643c8a84d048dd9c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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