IRFL110PBF Vishay
Produktcode: 23062
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: Vishay
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 100
Idd,A: 01.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 03.08.180
JHGF: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRFL110PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFL110PBF | Hersteller : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 3,1,... Група товару: Транзистори Кор Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 3 Stücke: |
||
| IRFL110PBF |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||
 |
IRFL110PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
IRFL110PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL |
Produkt ist nicht verfügbar |