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IRFL210TRPBF

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Produktcode: 168728
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 262 Stücke:
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250+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 161
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.03 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Semiconductors sihfl210.pdf MOSFETs N-Chan 200V 0.96 Amp
auf Bestellung 4961 Stücke:
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2+2.06 EUR
10+1.01 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.49 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 7073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.54 EUR
10+2.27 EUR
100+1.55 EUR
500+1.24 EUR
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY VISH-S-A0012362806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 960 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 960mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL210TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 0.96 Amp
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Anzahl Preis
2+2.06 EUR
10+1.01 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.49 EUR
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IRFL210TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 7073 Stücke:
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10+2.27 EUR
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500+1.24 EUR
1000+1.21 EUR
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IRFL210TRPBF VISH-S-A0012362806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL210TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 960 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 960mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 476 Stücke:
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IRFL210TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH