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IRFL210TRPBF

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Produktcode: 168728
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY IRFL210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Pulsed drain current: 7.7A
Drain current: 0.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.11 EUR
98+0.87 EUR
134+0.64 EUR
250+0.55 EUR
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 262 Stücke:
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.23 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Semiconductors sihfl210.pdf MOSFETs N-Chan 200V 0.96 Amp
auf Bestellung 4548 Stücke:
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2+2.68 EUR
10+1.71 EUR
100+1.19 EUR
5000+1.18 EUR
10000+1.17 EUR
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 7073 Stücke:
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5+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.84 EUR
500+1.48 EUR
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY VISH-S-A0012362806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 960 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 960mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL210TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL210TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL210TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Pulsed drain current: 7.7A
Drain current: 0.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
auf Bestellung 262 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
77+1.11 EUR
98+0.87 EUR
134+0.64 EUR
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IRFL210TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFL210TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 0.96 Amp
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IRFL210TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
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1000+1.44 EUR
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IRFL210TRPBF VISH-S-A0012362806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL210TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 960 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 960mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
auf Bestellung 476 Stücke:
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IRFL210TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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