IRFL214 (IR) - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

IRFL214

Produktcode: 1077

Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 250
Idd,A: 0.79
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 02.08.140

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Technische Details IRFL214

MOSFET, N SOT-223
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Cont Current Id:0.79A
On State Resistance:2ohm
Case Style:SOT-223
Termination Type:SMD
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Max Voltage Vds:250V
Max Voltage Vgs th:4V
Power Dissipation:3.1W
Power Dissipation Pd:3.1W
Pulse Current Idm:6.3A
SMD Marking:FL214
Voltage Vds:250V
Transistor Case Style:SOT-223

Preis IRFL214 ab 0.97 EUR bis 0.97 EUR

IRFL214
Hersteller: SILI
N-MOSFET 250V 790mA IRFL214TR; IRFL214 Trans. IRFL214 SOT223 TIRFL214
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.97 EUR

IRFL214
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFL214TRPBF

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IRFL214
Hersteller: Vishay/IR

auf Bestellung 70 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRFL214
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

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