IRFL214 (IR) - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

IRFL214
Produktcode: 1077
Hersteller: IRGehäuse: SOT-223
Uds,V: 250
Idd,A: 0.79
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 02.08.140

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Technische Details IRFL214
- MOSFET, N SOT-223
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:0.79A
- On State Resistance:2ohm
- Case Style:SOT-223
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:250V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Power Dissipation:3.1W
- Power Dissipation Pd:3.1W
- Pulse Current Idm:6.3A
- SMD Marking:FL214
- Voltage Vds:250V
- Transistor Case Style:SOT-223
Preis IRFL214 ab 0.97 EUR bis 0.97 EUR
IRFL214 Hersteller: SILI N-MOSFET 250V 790mA IRFL214TR; IRFL214 Trans. IRFL214 SOT223 TIRFL214 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke ![]() |
auf Bestellung 100 Stücke ![]() Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFL214 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFL214TRPBF ![]() |
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IRFL214 Hersteller: Vishay/IR ![]() |
auf Bestellung 70 Stücke ![]() Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL214 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V ![]() |
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