IRFL214

IRFL214

Produktcode: 1077
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 250
Idd,A: 0.79
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 02.08.140

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Technische Details IRFL214

  • MOSFET, N SOT-223
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:0.79A
  • On State Resistance:2ohm
  • Case Style:SOT-223
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:250V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation:3.1W
  • Power Dissipation Pd:3.1W
  • Pulse Current Idm:6.3A
  • SMD Marking:FL214
  • Voltage Vds:250V
  • Transistor Case Style:SOT-223

Preis IRFL214 ab 0.97 EUR bis 0.97 EUR

IRFL214
Hersteller: SILI
N-MOSFET 250V 790mA IRFL214TR; IRFL214 Trans. IRFL214 SOT223 TIRFL214
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRFL214
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFL214TRPBF
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IRFL214
Hersteller: Vishay/IR

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IRFL214
IRFL214
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
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