Suchergebnisse für "irfl9014pbf.." : 2

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE697DE8CADB6242FA8&compId=IRFL9014-DTE.pdf?ci_sign=55bc1511357d5ebad38d13a71f5551a4067fec3c description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
83+0.86 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY VISH-S-A0012362802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 16012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE697DE8CADB6242FA8&compId=IRFL9014-DTE.pdf?ci_sign=55bc1511357d5ebad38d13a71f5551a4067fec3c
IRFL9014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
83+0.86 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF description VISH-S-A0012362802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL9014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 16012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH