IRFL9014TRPBF (IR) - Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld

IRFL9014TRPBF

IRFL9014TRPBF

Produktcode: 31799
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60
Id,A: 1.8
Rds(on),Om: 0.5

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Technische Details IRFL9014TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • D

Preis IRFL9014TRPBF ab 0.57 EUR bis 0.57 EUR

IRFL9014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRFL9014TRPBF SMD P channel transistors
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IRFL9014TRPBF
IRFL9014TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: IRFL9014TRPBF SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Siliconix
SOT-223 SiHFL9014T-E3
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IRFL9014TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL9014TRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL9014TRPBF
IRFL9014TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
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IRFL9014TRPBF
IRFL9014TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
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IRFL9014TRPBF
IRFL9014TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Mounting Type: Surface Mount
Base Part Number: IRFL9014
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package: SOT-223
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max): ±20V
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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