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IRFL9014TRPBF

IRFL9014TRPBF

sihfl901.pdf
Produktcode: 31799
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60
Id,A: 1.8
Rds(on),Om: 0.5
/: SMD
verfügbar 12 Stück:
erwartet 75 Stück:
75 Stück - erwartet 16.06.2025
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
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Technische Details IRFL9014TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • D

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFL9014 IRFL9014
Produktcode: 123235
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Hersteller : SILI sihfl901-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
auf Bestellung 75 Stück:
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Hersteller : Vishay sihfl901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Hersteller : Vishay sihfl901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500
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auf Bestellung 15000 Stücke:
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Hersteller : Vishay sihfl901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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168+0.85 EUR
250+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 154
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE697DE8CADB6242FA8&compId=IRFL9014-DTE.pdf?ci_sign=55bc1511357d5ebad38d13a71f5551a4067fec3c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1684 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
83+0.86 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
12500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 74
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE697DE8CADB6242FA8&compId=IRFL9014-DTE.pdf?ci_sign=55bc1511357d5ebad38d13a71f5551a4067fec3c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Mounting: SMD
auf Bestellung 1684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
83+0.86 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 74
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Hersteller : Vishay sihfl901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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132+1.13 EUR
139+1.03 EUR
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168+0.79 EUR
250+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfl901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfl901.pdf MOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp
auf Bestellung 7340 Stücke:
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Anzahl Preis
2+1.50 EUR
10+1.47 EUR
25+1.43 EUR
100+1.36 EUR
250+1.34 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfl901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 60246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0012362802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 15507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF Hersteller : Vishay sihfl901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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LM5576QMHX/NOPB
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IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
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irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 3121 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.28 EUR
10+0.16 EUR
100+0.12 EUR
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