IRFL9014TRPBF (IR) - Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
12 Stück - stock Köln
12 Stück - stock Köln
Technische Details IRFL9014TRPBF
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- D
Preis IRFL9014TRPBF ab 0.57 EUR bis 0.57 EUR
|
IRFL9014TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRFL9014TRPBF SMD P channel transistors 
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
IRFL9014TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRFL9014TRPBF SMD P channel transistors
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
IRFL9014TRPBF Hersteller: Vishay Siliconix SOT-223 SiHFL9014T-E3
|
auf Bestellung 1 Stücke  Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
IRFL9014TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp
|
auf Bestellung 38776 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
|
IRFL9014TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Mounting Type: Surface Mount Base Part Number: IRFL9014 Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Supplier Device Package: SOT-223 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Vgs (Max): ±20V FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
|
auf Bestellung 12197 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|