IRFL9014TRPBF
Produktcode: 31799
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Montage: SMD
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Technische Details IRFL9014TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- D
Weitere Produktangebote IRFL9014TRPBF nach Preis ab 0.54 EUR bis 6.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRFL9014TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3.1W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
auf Bestellung 1722 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp |
auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFL9014TRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.82 EUR |
| 5000+ | 0.58 EUR |
| 10000+ | 0.54 EUR |
| IRFL9014TRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.82 EUR |
| 5000+ | 0.6 EUR |
| 10000+ | 0.56 EUR |
| IRFL9014TRPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 104+ | 1.67 EUR |
| 133+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| 2500+ | 0.74 EUR |
| IRFL9014TRPBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 1.77 EUR |
| 71+ | 1.2 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| 2500+ | 0.57 EUR |
| IRFL9014TRPBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.83 EUR |
| 7500+ | 1.7 EUR |
| IRFL9014TRPBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 1722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.62 EUR |
| 130+ | 1.8 EUR |
| 175+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| IRFL9014TRPBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp
MOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.93 EUR |
| 10+ | 2.95 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| 2500+ | 0.74 EUR |
| IRFL9014TRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 7514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.03 EUR |
| 10+ | 3.9 EUR |
| 50+ | 2.99 EUR |
| 100+ | 2.69 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
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| 0 Ohm 5% 0805 (0805S8J0000T50-UNI-OHM) (Widerstand SMD) Produktcode: 149420
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 0 Ом
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 0 Ом
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
auf Bestellung: 15090 St.
- 15090 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.0079 EUR |
| 1000+ | 0.0036 EUR |
| 10000+ | 0.0024 EUR |
| NX2500-04SMS A2501WV-4P Produktcode: 122522
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: JOINT TECH
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Buchse gerade; Draht-Platine; "Stecker"; 2.5mm; PIN: 4; THT; 250V; 3A
Stecker/Buchse: Buchse
Anzahl Kontakte: 4
Kontaktabstand: 2,5 мм
Steckverbinder-Serie: NX2500
Montage: Platinenmontage
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Buchse gerade; Draht-Platine; "Stecker"; 2.5mm; PIN: 4; THT; 250V; 3A
Stecker/Buchse: Buchse
Anzahl Kontakte: 4
Kontaktabstand: 2,5 мм
Steckverbinder-Serie: NX2500
Montage: Platinenmontage
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.043 EUR |
| 100+ | 0.036 EUR |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Produktcode: 60735
3
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 нФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 нФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
erwartet: 250000 St.
- 50000 St. - erwartet 20.09.2026
- 200000 St. - erwartet 01.11.2026
auf Bestellung: 37840 St.
- 37840 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.039 EUR |
| 100+ | 0.036 EUR |
| 1000+ | 0.027 EUR |
| 10000+ | 0.018 EUR |
| 10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung) Produktcode: 52241
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.24 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
| IRLML9301TRPBF Produktcode: 34218
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 3005 St.
- 3005 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.33 EUR |
| 10+ | 0.2 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |












