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IRLML9301TRPBF

IRLML9301TRPBF

irlml9301pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 34218
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.11 EUR
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668e5e42640 Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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2500+0.3 EUR
5000+0.28 EUR
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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382+0.38 EUR
529+0.26 EUR
535+0.25 EUR
708+0.18 EUR
1263+0.098 EUR
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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24000+0.084 EUR
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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1000+0.39 EUR
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
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157+0.46 EUR
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397+0.18 EUR
575+0.12 EUR
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6000+0.087 EUR
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML9301_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668e5e42640 Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLML9301TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlml9301pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 388 @ 25, Qg, нКл = 4,8 @ 10 В, Rds = 64 мОм @ 3.6 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 10 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1176 Stücke:
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IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668e5e42640 MOSFET 30V 3.6A (15A pulse), P Channel SOT-23-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml9301datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML9301TRPBF Hersteller : Infineon irlml9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668e5e42640 MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Hersteller : TYS irlml9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668e5e42640 SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
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JHGF: SMD
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IRLML6402TRPBF
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
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100+0.09 EUR
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IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596
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IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung 1893 St.:
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1+0.13 EUR
10+0.11 EUR
100+0.1 EUR
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 293141 St.:
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