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IRLML0030TRPBF

IRLML0030TRPBF

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Produktcode: 37076
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml0030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml0030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml0030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Infineon Technologies irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
auf Bestellung 105000 Stücke:
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml0030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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500+0.31 EUR
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5000+0.27 EUR
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml0030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml0030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Infineon Technologies infineonirlml0030datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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193+0.75 EUR
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325+0.41 EUR
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499+0.25 EUR
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Infineon Technologies irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLML0030_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
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3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
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IRLML0030TRPBF TYS irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
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IRLML0030TRPBF HXY MOSFET irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Транзистори
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IRLML0030TRPBF UMW irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
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IRLML0030TRPBF Infineon irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
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IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 486000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
9000+0.11 EUR
21000+0.099 EUR
30000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
21000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
437+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.28 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 437
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 381933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
320+0.45 EUR
492+0.29 EUR
657+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 320
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IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
325+0.45 EUR
494+0.29 EUR
499+0.28 EUR
660+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 325
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IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 21861 Stücke:
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157+0.46 EUR
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3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.75 EUR
315+0.44 EUR
325+0.41 EUR
494+0.26 EUR
499+0.25 EUR
660+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 15 V
auf Bestellung 108716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.95 EUR
31+0.58 EUR
100+0.37 EUR
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1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IRLML0030TRPBF Infineon_IRLML0030_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg
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Anzahl Preis
3+1.33 EUR
10+0.93 EUR
100+0.59 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
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Hersteller: TYS
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
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50+0.1 EUR
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Hersteller: HXY MOSFET
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Транзистори
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Hersteller: UMW
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
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Anzahl Preis
5+1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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Hersteller: Infineon
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 3 Stücke:
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 280441 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344
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irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: -12
Id,A: -4.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 14147 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.16 EUR
100+0.1 EUR
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IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
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IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 835 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.28 EUR
10+0.16 EUR
100+0.12 EUR
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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Produktcode: 60735
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yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 122719 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo)
Produktcode: 85265
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pyu-rc_group_51_rohs_l_9-1314892.pdf
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 57124 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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