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IRLML6401TRPBF

IRLML6401TRPBF

irlml6401pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 34344
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: -12
Id,A: -4.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
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15000 Stück - erwartet 06.03.2026
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.087 EUR
15000+0.083 EUR
21000+0.074 EUR
24000+0.07 EUR
30000+0.067 EUR
75000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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24000+0.071 EUR
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml6401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
167+0.43 EUR
258+0.28 EUR
370+0.19 EUR
430+0.17 EUR
601+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml6401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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447+0.31 EUR
472+0.28 EUR
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML6401_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl
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10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
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3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml6401-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF Hersteller : Taiwan TY Semiconductor irlml6401pbf-1.pdf MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
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IRLML6401TRPBF Hersteller : VBSEMI irlml6401pbf-1.pdf MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
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IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6401pbf-1.pdf MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
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IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf MOSFET 12V 4.3A (34A pulse), P Channel SOT-23-3
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IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
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IRLML6401TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - MOSFET, P-KANAL, MICRO3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6401pbf-1.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6401pbf-1.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 16824 Stück
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10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Produktcode: 106453
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RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 10 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 50 V
U Betriebs.,V: 0603
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erwartet: 400000 Stück
400000 Stück - erwartet 06.03.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
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irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 5700 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
Anzahl Preis
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10+0.2 EUR
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IRLML2502TRPBF
Produktcode: 25595
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infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 5445 Stück
90 Stück - stock Köln
5355 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.11 EUR
100+0.1 EUR
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IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
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irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 9821 Stück
8 Stück - stock Köln
9813 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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