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IRLML6401TRPBF

IRLML6401TRPBF

irlml6401pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 34344
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: -12
Id,A: -4.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF TYS irlml6401pbf-1.pdf MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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545+0.27 EUR
565+0.25 EUR
717+0.19 EUR
1389+0.098 EUR
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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392+0.37 EUR
396+0.36 EUR
401+0.35 EUR
554+0.25 EUR
575+0.23 EUR
735+0.18 EUR
1439+0.09 EUR
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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230+0.63 EUR
378+0.37 EUR
401+0.34 EUR
545+0.24 EUR
565+0.22 EUR
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies infineonirlml6401datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
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IRLML6401TRPBF Infineon irlml6401pbf-1.pdf MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
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IRLML6401TRPBF International Rectifier/Infineon irlml6401pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1043 Stücke:
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IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
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Hersteller: TYS
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
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IRLML6401TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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IRLML6401TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
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Anzahl Preis
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IRLML6401TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 168173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
392+0.37 EUR
396+0.36 EUR
401+0.35 EUR
554+0.25 EUR
575+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 392
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IRLML6401TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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565+0.22 EUR
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Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 34381 Stücke:
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IRLML6401TRPBF INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6401TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 34381 Stücke:
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IRLML6401TRPBF irlml6401pbf-1.pdf
Hersteller: Infineon
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 130 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 25
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IRLML6401TRPBF irlml6401pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
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JHGF: SMD
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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Produktcode: 60735
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yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 122719 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLML6244TRPBF
Produktcode: 87248
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irlml6244pbf-datasheet.pdf
IRLML6244TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 21 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/8,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 2593 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Produktcode: 106453
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RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 10 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 50 V
U Betriebs.,V: 0603
auf Bestellung 119200 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
10 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 4961 St.
4 St. - stock Köln
4957 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 600 St.
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