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IRLML6401TRPBF

Name: IRLML6401TRPBF
Brand: IR
SKU: 34344
Price: 0.24 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 34344

Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: -12
Id,A: -4.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD

auf Bestellung 10935 Stück:

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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9000+	0.079 EUR
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24000+	0.066 EUR
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Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V

auf Bestellung 69000 Stücke:

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3000+	0.14 EUR
6000+	0.12 EUR
9000+	0.1 EUR
21000+	0.098 EUR
30000+	0.093 EUR

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML6401TRPBF

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Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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519+	0.27 EUR
1000+	0.18 EUR
2000+	0.15 EUR

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582611F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml6401.pdf?ci_sign=8bedbc854eb7229a844e3beb3076098fb21ec847

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

auf Bestellung 9385 Stücke:

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Anzahl	Preis
173+	0.41 EUR
211+	0.34 EUR
305+	0.24 EUR
369+	0.19 EUR
875+	0.082 EUR
925+	0.077 EUR

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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305+	0.24 EUR
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875+	0.082 EUR
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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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338+	0.42 EUR
457+	0.3 EUR
484+	0.27 EUR
710+	0.18 EUR
717+	0.17 EUR

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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449+	0.31 EUR
470+	0.28 EUR
480+	0.27 EUR
712+	0.17 EUR
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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl

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500+	0.19 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V

auf Bestellung 69213 Stücke:

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29+	0.62 EUR
52+	0.34 EUR
100+	0.22 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.16 EUR

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012905468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : INFINEON

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 382999 Stücke:

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

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IRLML6401TRPBF

IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET

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IRLML6401TRPBF

MOSFET 12V 4.3A (34A pulse), P Channel SOT-23-3

auf Bestellung 8 Stücke:

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Taiwan TY Semiconductor

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : VBSEMI

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

auf Bestellung 590 Stücke:

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IRLML6401TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076

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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 10251 Stück

60 Stück - stock Köln
10191 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Produktcode: 106453

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10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)

Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 10 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 50 V
U Betriebs.,V: 0603

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IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173

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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

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IRLML2502TRPBF
Produktcode: 25595

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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 7752 Stück

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IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697

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irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 7438 Stück

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7430 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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