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IRLML6344TRPBF

IRLML6344TRPBF

irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Produktcode: 42697
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 4 St.
  • 4 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4722 St.
  • 4722 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
389+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.38 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 112680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+0.5 EUR
562+0.31 EUR
751+0.23 EUR
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3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
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751+0.21 EUR
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3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 10715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
279+0.83 EUR
439+0.49 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 10715 Stücke:
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170+1.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.63 EUR
200+0.43 EUR
207+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF Infineon irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 40 Stücke:
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12+0.55 EUR
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8033 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
389+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 10715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.48 EUR
279+0.83 EUR
439+0.49 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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IRLML6344TRPBF INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6344TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
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IRLML6344TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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Hersteller: Infineon
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори
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Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
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IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung: 6599 St.
  • 6599 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 655 St.
  • 655 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.33 EUR
10+0.2 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344
9 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
Drain-Strom Id, A: -4,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 830/10
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet
auf Bestellung: 12616 St.
  • 12616 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.19 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
auf Bestellung: 239991 St.
  • 239991 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.012 EUR
1000+0.0086 EUR
10000+0.0063 EUR
Mindestbestellmenge: 100 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Produktcode: 67047
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
4,7uF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B475KBHNNNE – Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
auf Bestellung: 3251 St.
  • 3251 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.15 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH