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IRLML6344TRPBF

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Produktcode: 42697
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLML6344TRPBF
Produktcode: 208132
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irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML6344_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6344pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML6344TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5 A; Ptot, Вт = 1,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25; Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В; Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА; SOT-23-3
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IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
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IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
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10000 St. - erwartet 23.04.2026
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IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344
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irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: -12
Id,A: -4.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
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10+0.16 EUR
100+0.1 EUR
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
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IRLML5203TRPBF
Produktcode: 25596
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irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3
Rds(on),Om: 0.098
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
auf Bestellung 2498 St.:
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10+0.11 EUR
100+0.1 EUR
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4,7uF 50V X7R 10% 1206 (CL31B475KBHNNNE-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 67047
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
4,7uF 50V X7R 10% 1206 (CL31B475KBHNNNE-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10 K
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 3086 St.:
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100+0.09 EUR
1000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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