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IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF

IRLML6402.pdf
Produktcode: 27968
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6402datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6402datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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2500+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
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IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlml6402datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6402TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irlml6402pbf-1.pdf -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23
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IRLML6402TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlml6402pbf-1.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 3,7 А; Ptot, Вт = 1,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 633 @ 10; Qg, нКл = 12 @ 250 мкА; Rds = 65 мОм @ 3,7 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3
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IRLML6402TRPBF irlml6402pbf-1.pdf IRLML6402TRPBF Транзисторы HEXFET
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IRLML6402TRPBF Hersteller : Ningbo KLS electronic co.,ltd irlml6402pbf-1.pdf -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23
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IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6402TRPBF - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 3.7A, 20V, 65 mOhm, 1.3W, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6402TRPBF - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 3.7A, 20V, 65 mOhm, 1.3W, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6402pbf-1.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
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IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6402pbf-1.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
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IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRLML6402-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl
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IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML2502TRPBF
Produktcode: 25595
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IRLML2502TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 281 St.
90 St. - stock Köln
191 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
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10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Produktcode: 106453
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RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 10 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 50 V
U Betriebs.,V: 0603
auf Bestellung 357300 St.:
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IRLML6344TRPBF
Produktcode: 42697
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irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 08.06.650
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JHGF: SMD
verfügbar: 9028 St.
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1+0.25 EUR
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IRLML6244TRPBF
Produktcode: 87248
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irlml6244pbf-datasheet.pdf
IRLML6244TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,1 A
Rds(on), Ohm: 21 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/8,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 1205 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5000 St.:
5000 St. - erwartet 17.04.2026
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.08 EUR
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 143541 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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