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IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF

infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf
Produktcode: 25595
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
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3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
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3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
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466+0.31 EUR
758+0.18 EUR
792+0.16 EUR
1134+0.11 EUR
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307+0.45 EUR
500+0.42 EUR
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758+0.17 EUR
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792+0.15 EUR
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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367+0.38 EUR
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRLML2502-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl
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100+0.22 EUR
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
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42+0.43 EUR
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF1169C8AFE75EA&compId=IRLML2502TRPBF.pdf?ci_sign=ee943fbc222d20849d4363e63ac713ce2afa2b4a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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29+2.46 EUR
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF1169C8AFE75EA&compId=IRLML2502TRPBF.pdf?ci_sign=ee943fbc222d20849d4363e63ac713ce2afa2b4a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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50+1.43 EUR
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1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Hersteller : INFINEON 1912230.pdf Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Hersteller : INFINEON 1912230.pdf Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 3239irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2502TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
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IRLML2502TRPBF Hersteller : UMW infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
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IRLML2502TRPBF infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf IRLML2502TRPBF Транзисторы
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IRLML2502TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,2 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3
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IRLML2502TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 3239irlml2502pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML2502TRPBF Hersteller : Infineon (IRF) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825FCF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2502gpbf.pdf?ci_sign=7cd78ffae573a198f13da6c3bbdc34d8bfad9a85 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 45mΩ
Gate charge: 8nC
Gate-source voltage: ±12V
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IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
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IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 1715 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 13000 Stück:
10000 Stück - erwartet
3000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.11 EUR
10+0.1 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
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100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 42147
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
auf Bestellung 47547 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.2 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.0069 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Produktcode: 106453
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RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 10 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 50 V
U Betriebs.,V: 0603
auf Bestellung 251548 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344
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irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: -12
Id,A: -4.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 9575 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.16 EUR
100+0.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 10V size-D 10% (TAJD227K010RNJ-AVX)
Produktcode: 46905
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AVX tantalum cap_datasheet.pdf
220uF 10V size-D 10% (TAJD227K010RNJ-AVX)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 10V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-D
№ 6: 8532210000
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
100+0.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH