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IRFL9110TRPBF-BE3

IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix

sihfl911.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
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Technische Details IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix sihfl911.pdf MOSFETs SOT223 100V 1.1A P-CH MOSFET
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IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay sihfl911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 VISHAY VISHS97181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 1.1A, SOT-223
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
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Qualifikation: -
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IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFL9110PBF_Vishay.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 50 Од.
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
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IRFL9110TRPBF-BE3
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Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
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IRFL9110TRPBF-BE3 VISHS97181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL9110TRPBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 1.1A, SOT-223
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