IRFM120ATF ON Semiconductor
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Technische Details IRFM120ATF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote IRFM120ATF nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.66 EUR
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IRFM120ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFM120ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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IRFM120ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFM120ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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IRFM120ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFM120ATF | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V Single |
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IRFM120ATF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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IRFM120ATF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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IRFM120ATF Produktcode: 129782
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFM120ATF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| IRFM120ATF | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; Idm: 18A; 2.4W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.3A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Case: SOT223 Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFM120ATF | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
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IRFM120ATF | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
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| IRFM120ATF | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; Idm: 18A; 2.4W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.3A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Case: SOT223 |
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