auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.78 EUR |
| 10+ | 4.38 EUR |
| 100+ | 4.01 EUR |
| 500+ | 3.52 EUR |
| 1000+ | 3.38 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFP048PBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFP048PBF nach Preis ab 4.07 EUR bis 6.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP048PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
| IRFP048PBF | Hersteller : IR |
|
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||
| IRFP048PBF | Hersteller : IR |
TO-247 |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||
| IRFP048PBF | Hersteller : VISHAY |
|
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||
 |
IRFP048PBF Produktcode: 75654
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||
 |
IRFP048PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
IRFP048PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IRFP048PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| IRFP048PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 290A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
| IRFP048PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 290A |
Produkt ist nicht verfügbar |