
IRFP048PBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3+ | 6.93 EUR |
25+ | 4.61 EUR |
100+ | 4.06 EUR |
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Technische Details IRFP048PBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFP048PBF nach Preis ab 3.80 EUR bis 7.52 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRFP048PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP048PBF | Hersteller : IR |
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auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP048PBF | Hersteller : IR |
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auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP048PBF | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP048PBF Produktcode: 75654
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IRFP048PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFP048PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFP048PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFP048PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 290A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP048PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 290A |
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