IRFP250MPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFP250MPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFP250MPBF nach Preis ab 1.13 EUR bis 5.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFP250MPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP250MPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRFP250MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP250MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP250MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V |
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IRFP250MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC |
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IRFP250MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 1404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250MPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFP250MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP250MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP250MPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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