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IRFP250MPBF

IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES

irfp250mpbf.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+3.92 EUR
33+2.65 EUR
39+2.23 EUR
48+1.81 EUR
54+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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Technische Details IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.53 EUR
57+3.01 EUR
100+1.93 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.55 EUR
57+3.09 EUR
100+2.01 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.8 EUR
100+2.62 EUR
400+2.15 EUR
1200+2.01 EUR
2800+1.93 EUR
5200+1.92 EUR
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IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies IRLES00077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
25+3.28 EUR
100+2.65 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.99 EUR
2000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON INFN-S-A0010753947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.09 EUR
64+3.67 EUR
100+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRFP250MPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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10+3.8 EUR
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
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IRFP250MPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 163 Stücke:
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