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IRFP3710 Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 100V 57A 25mΩ TO247AC
Produktcode: 30169
Hersteller: IRGehäuse: TO-247
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.025
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/190
JHGF: THT
verfügbar 1 Stück:
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.52 EUR |
| 10+ | 1.40 EUR |
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Technische Details IRFP3710 Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 100V 57A 25mΩ TO247AC IR
2 oder 5 Stück IRFP3710 Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 100V 57A 25mΩ TO247AC
Fortschrittliche Verfahrenstechnik
Dynamische dv / dt-Bewertung
175 ° C Betriebstemperatur
Schnelles Umschalten
Hersteller Infineon (International Rectifier)
Transistortyp N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Transistor-Art HEXFET
Drain-Source Spannung 100V
Drainstrom 57A
Leistung 200W
Gehäuse TO247AC
Gate-Source Spannung 20V
Widerstand im Leitungszustand 25mΩ
Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse 0,75K/W
Montage THT
Produktcode 30169
Weitere Produktangebote IRFP3710 Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 100V 57A 25mΩ TO247AC nach Preis ab 6.36 EUR bis 6.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP3710 | Hersteller : International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 57A 100V 200W 0.0025Ω IRFP3710 TIRFP3710 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP3710 | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |