Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP4227PBFXKMA1
IRFP4227PBFXKMA1

IRFP4227PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineon-irfp4227-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.02 EUR
25+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFP4227PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 330W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

Weitere Produktangebote IRFP4227PBFXKMA1 nach Preis ab 3.38 EUR bis 14.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4227PBFXKMA1 IRFP4227PBFXKMA1 INFINEON 4550992.pdf Description: INFINEON - IRFP4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.42 EUR
27+8.77 EUR
100+5.44 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4227-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.68 EUR
38+4.47 EUR
100+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4227-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.68 EUR
38+4.57 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4227PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4227-datasheet-en.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.06 EUR
10+5.82 EUR
100+5.28 EUR
400+4.74 EUR
1200+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4227PBFXKMA1 4550992.pdf
IRFP4227PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.42 EUR
27+8.77 EUR
100+5.44 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4227PBFXKMA1 infineon-irfp4227-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.68 EUR
38+4.47 EUR
100+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4227PBFXKMA1 infineon-irfp4227-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.68 EUR
38+4.57 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4227PBFXKMA1 infineon-irfp4227-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.06 EUR
10+5.82 EUR
100+5.28 EUR
400+4.74 EUR
1200+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH