IRFP4310ZPBFXKMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4310ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 134 A, 6000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details IRFP4310ZPBFXKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4310ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 134 A, 6000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 134A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFP4310ZPBFXKMA1 nach Preis ab 1.51 EUR bis 4.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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| IRFP4310ZPBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4310ZPBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IRFP4310ZPBFXKMA1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP4310ZPBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |