IRFP4368PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFP4368PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote IRFP4368PBF nach Preis ab 6.99 EUR bis 12.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRFP4368PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4368PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg |
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IRFP4368PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4368PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 0.00146 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4368PBF Produktcode: 34958 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 75 Idd,A: 350 Rds(on), Ohm: 0.00146 Ciss, pF/Qg, nC: 19230/570 JHGF: THT |
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IRFP4368PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP4368PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP4368PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP4368PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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