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IRFP4368PBFXKMA1

IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2953 Stücke:
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Technische Details IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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29+6.09 EUR
100+5.46 EUR
500+4.97 EUR
1000+4.81 EUR
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IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.73 EUR
13+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON 3732470.pdf Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.22 EUR
24+10.04 EUR
100+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4368_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1276 Stücke:
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1+16.37 EUR
10+10.42 EUR
100+8.29 EUR
400+7.28 EUR
1200+6.81 EUR
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IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.47 EUR
25+10.38 EUR
100+8.69 EUR
500+7.33 EUR
1000+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFP4368PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
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400+5.96 EUR
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IRFP4368PBFXKMA1
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4368PBFXKMA1
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29+6.09 EUR
100+5.46 EUR
500+4.97 EUR
1000+4.81 EUR
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IRFP4368PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP4368PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.22 EUR
24+10.04 EUR
100+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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MOSFETs IR FET >60-400V
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1+16.37 EUR
10+10.42 EUR
100+8.29 EUR
400+7.28 EUR
1200+6.81 EUR
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IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+17.47 EUR
25+10.38 EUR
100+8.69 EUR
500+7.33 EUR
1000+6.9 EUR
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