IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.52 EUR |
| 32+ | 7.28 EUR |
| 100+ | 5.59 EUR |
| 500+ | 5.3 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.
Weitere Produktangebote IRFP4468PBFXKMA1 nach Preis ab 5.55 EUR bis 14.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
auf Bestellung 3916 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IRFP4468PBFXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.22 EUR |
| 25+ | 8.4 EUR |
| 100+ | 7.01 EUR |
| 500+ | 5.9 EUR |
| 1000+ | 5.55 EUR |
| IRFP4468PBFXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 10.76 EUR |
| IRFP4468PBFXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 10.78 EUR |
| IRFP4468PBFXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 3916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.61 EUR |
| 10+ | 9.81 EUR |
| 100+ | 7.88 EUR |
| 400+ | 7 EUR |
| 1200+ | 6.26 EUR |