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IRFP4468PBFXKMA1

IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON

3732309.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.42 EUR
27+8.82 EUR
100+6.3 EUR
500+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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Technische Details IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V
auf Bestellung 1061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.2 EUR
25+8.38 EUR
50+7.63 EUR
100+7 EUR
500+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.82 EUR
28+6.14 EUR
100+4.93 EUR
400+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1098 Stücke:
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17+10.84 EUR
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100+5.13 EUR
400+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
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1+13.97 EUR
10+8.25 EUR
100+6.89 EUR
400+6.2 EUR
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IRFP4468PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
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MOSFETs IR FET >60-400V
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