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IRFP460PBF

IRFP460PBF Siliconix

IRFP460PBF-ds.pdf
Produktcode: 192334
Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
JHGF: THT
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91237.pdf MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
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500+3.87 EUR
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IRFP460PBF IRFP460PBF
Produktcode: 23707
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Hersteller : IR 91237.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
JHGF: THT
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91237.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
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500+5.27 EUR
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : Vishay 91237.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : Vishay 91237.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : Vishay 91237.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP460PBF Hersteller : Vishay/IR 91237.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 20 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 4200 @ 25; Qg, нКл = 210 @ 10 В; Rds = 270 мОм @ 12 А, 10 В; Ugs(th) = 4 @ 250 мкА; Р, Вт = 280 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247AC
auf Bestellung 650 Stücke:
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IRFP460PBF IRFP460PBF
Produktcode: 149448
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Hersteller : IR 91237irf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
JHGF: THT
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0014480867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFP460PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : Vishay 91237.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : Vishay 91237.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : Infineon Technologies 91237.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B55844B0EA469&compId=IRFP460PBF.pdf?ci_sign=8ca454441ae54e9732ed80a67ea4b9b0f6375667 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : Infineon Technologies 91237.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
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IRFP460PBF IRFP460PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B55844B0EA469&compId=IRFP460PBF.pdf?ci_sign=8ca454441ae54e9732ed80a67ea4b9b0f6375667 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SG3525AP
Produktcode: 29169
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CD00000958.pdf
SG3525AP
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-16
Eigenschaften: PWM Controllers 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 500mA
Fosc, kHz: 400
Temperaturbereich: -25…+85°C
auf Bestellung 113 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 19678 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Sicherung 5x20mm 0,500A 250V F (50F-0500H)
Produktcode: 19627
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Sicherung 5x20mm 0,500A 250V F (50F-0500H)
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 0,5A 250V 5x20mm F (RF1)
Nennstrom, А: 0,5A
Größe: 5х20mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 4312 Stück
495 Stück - stock Köln
3817 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 5000 Stück
5000 Stück - erwartet 29.12.2025
Anzahl Preis
1+0.05 EUR
10+0.035 EUR
100+0.025 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5022 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 Stück:
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024
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2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 157 Stück
33 Stück - stock Köln
124 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.045 EUR
100+0.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH