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IRFP460PBF

IRFP460PBF Siliconix

IRFP460PBF-ds.pdf
Produktcode: 192334
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 20 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4200/210
Montage: THT
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IRFP460PBF IRFP460PBF Vishay 91237.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP460PBF IRFP460PBF VISHAY IRFP460PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP460PBF IRFP460PBF Vishay Semiconductors 91237.pdf MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
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IRFP460PBF IRFP460PBF VISHAY VISH-S-A0014480867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFP460PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
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IRFP460PBF IRFP460PBF Vishay Siliconix 91237.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Vishay
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP460PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
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Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
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Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 МГц
Spannung Uce, V: 25 В
Spannung Ucb, V: 40 В
Strom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21, max: 350
auf Bestellung: 2782 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+0.098 EUR
10+0.063 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.037 EUR
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Produktcode: 177775
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Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 25 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 В
Kollektorstrom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21: 350
Montage: SMD
auf Bestellung: 1433 St.
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1,5nF 8kV Z5U M(+/-20%) D<=9mm (KE3J152M-L018BD9-Hitano)
Produktcode: 2538
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HI_Voltage_070726.pdf
1,5nF 8kV Z5U M(+/-20%) D<=9mm (KE3J152M-L018BD9-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1,5 nF
Nennspannung: 8 kV
Dielektrikum-Code (TCC): Z5U
Toleranz: ±20% M
Abmessungen: D<=10,8 mm
Part Number: KE3J152M-L018B
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 1924 St.
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1nF 4kV Y5P K(+/-10%) D<=10,8mm (KB3G102K-L016-Hitano)
Produktcode: 2518
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1nF 4kV Y5P K(+/-10%) D<=10,8mm (KB3G102K-L016-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 4 kV
Dielektrikum-Code (TCC): Y5P
Toleranz: ±10% K
Abmessungen: D<=10,8 mm
Part Number: KB3G102K-L016
UKTZED: 8532 24 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
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470uF 63V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR471M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2447
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EXR_080421.pdf
470uF 63V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR471M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x26 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 8 St.
  • 8 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1902 St.
  • 1902 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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