IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 12.97 EUR |
| 25+ | 7.63 EUR |
| 100+ | 6.36 EUR |
| 500+ | 5.34 EUR |
| 1000+ | 5.01 EUR |
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Technische Details IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.
Weitere Produktangebote IRFP4668PBFXKMA1 nach Preis ab 2.8 EUR bis 9.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Power MOSFET |
auf Bestellung 13300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Power MOSFET |
auf Bestellung 6615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Power MOSFET |
auf Bestellung 6615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
auf Bestellung 10225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4668PBFXKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFP4668PBFXKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
auf Bestellung 13300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 147+ | 3.75 EUR |
| 500+ | 3.49 EUR |
| 1000+ | 3.24 EUR |
| 10000+ | 2.98 EUR |
| IRFP4668PBFXKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
auf Bestellung 6615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 26+ | 5.67 EUR |
| 38+ | 3.8 EUR |
| 100+ | 3.17 EUR |
| 400+ | 2.8 EUR |
| IRFP4668PBFXKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
auf Bestellung 6615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 26+ | 5.69 EUR |
| 37+ | 3.9 EUR |
| 100+ | 3.3 EUR |
| 400+ | 2.97 EUR |
| IRFP4668PBFXKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 10225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.35 EUR |
| 10+ | 6.11 EUR |
| 100+ | 4.29 EUR |
| 400+ | 3.78 EUR |
| 1200+ | 3.54 EUR |