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IRFP4668PBFXKMA1

IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
11+7.75 EUR
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Technische Details IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.77 EUR
28+8.4 EUR
100+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.48 EUR
25+7.94 EUR
50+7.22 EUR
100+6.62 EUR
500+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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auf Bestellung 13300 Stücke:
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107+6.1 EUR
500+5.7 EUR
1000+5.28 EUR
10000+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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auf Bestellung 7614 Stücke:
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24+7.31 EUR
36+4.88 EUR
100+4.11 EUR
400+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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auf Bestellung 7615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.39 EUR
35+4.83 EUR
100+4 EUR
400+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.89 EUR
32+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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auf Bestellung 378 Stücke:
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 10443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.28 EUR
10+7.81 EUR
100+6.51 EUR
400+5.78 EUR
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IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 520W
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Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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10+7.81 EUR
100+6.51 EUR
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