Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP4668PBFXKMA1
IRFP4668PBFXKMA1

IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.32 EUR
25+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRFP4668PBFXKMA1 nach Preis ab 2.62 EUR bis 7.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.13 EUR
50+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN-3007086.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.88 EUR
10+7.87 EUR
25+5.10 EUR
100+4.29 EUR
250+4.21 EUR
400+3.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d SP005732696
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH