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IRFP4668PBFXKMA1

IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 78 Stücke:
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 3
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Technische Details IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
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Mindestbestellmenge: 400
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Anzahl Preis
400+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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Anzahl Preis
147+3.7 EUR
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1000+3.09 EUR
10000+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 147
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IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.45 EUR
16+4.68 EUR
20+3.58 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
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Anzahl Preis
27+5.52 EUR
38+3.7 EUR
100+3.06 EUR
400+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 2244 Stücke:
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Anzahl Preis
27+5.55 EUR
38+3.72 EUR
100+3.08 EUR
400+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+7.5 EUR
27+5.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
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1+7.88 EUR
10+4.7 EUR
100+4.01 EUR
400+3.22 EUR
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IRFP4668PBFXKMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf SP005732696
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