
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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400+ | 3.35 EUR |
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Technische Details IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFP4768PBFXKMA1 nach Preis ab 3.02 EUR bis 8.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247AC Drain-source voltage: 250V Drain current: 66A On-state resistance: 17.5mΩ Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 180nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 370A Mounting: THT |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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