IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Pulsed drain current: 370A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 5.25 EUR |
| 23+ | 3.19 EUR |
| 24+ | 3.02 EUR |
| 250+ | 2.9 EUR |
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Technische Details IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFP4768PBFXKMA1 nach Preis ab 2.65 EUR bis 7.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 66A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Pulsed drain current: 370A |
auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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