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IRFP4768PBFXKMA1

IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 370A
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 54 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
12+7.18 EUR
19+4.7 EUR
25+4.19 EUR
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Technische Details IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
25+7.85 EUR
50+7.15 EUR
100+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4768_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.4 EUR
10+7.19 EUR
100+6.59 EUR
400+6.58 EUR
1200+5.95 EUR
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IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON 2332087.pdf Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.72 EUR
23+10.4 EUR
100+7.74 EUR
500+6.85 EUR
1000+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
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IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
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29+5.75 EUR
50+5.47 EUR
100+3.78 EUR
500+3.61 EUR
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IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
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100+4.08 EUR
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2000+3.76 EUR
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10000+4.87 EUR
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IRFP4768PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
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IRFP4768PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
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IRFP4768PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Verlustleistung: 520W
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Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
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Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
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Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
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Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
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Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
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