IRFP7718PBF

IRFP7718PBF Infineon Technologies


irfp7718pbf-1732689.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
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Technische Details IRFP7718PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 517W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 830 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29550 pF @ 25 V.

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IRFP7718PBF IRFP7718PBF Hersteller : Infineon Technologies 5870417207362590irfp7718pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 355A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP7718PBF IRFP7718PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp7718pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cbf47202b Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 830 nC @ 10 V
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