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IRFP90N20DPBF

IRFP90N20DPBF

irfp90n20d.pdf
Produktcode: 23066
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 94
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 6040/180
JHGF: THT
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IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp90n20d-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP90N20D_DataSheet_v01_01_EN-3363362.pdf MOSFETs MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC
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IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP90N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF Hersteller : Infineon Technologies irfp90n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562ccb60202f Description: MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
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IRFP4227PBF
Produktcode: 26521
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description irfp4227pbf.pdf
IRFP4227PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 65
Rds(on), Ohm: 0.021
JHGF: THT
auf Bestellung 38 Stück:
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27 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-27R-Hitano)
Produktcode: 11071
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CR-S_080911.pdf
27 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-27R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 27 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 16316 Stück
1188 Stück - stock Köln
15128 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
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Schaltlitze mit PTEF-Isoliation MGTF-0,12mm
Produktcode: 10556
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Schaltlitze mit PTEF-Isoliation MGTF-0,12mm
Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 0,12 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: мідь
Ізоляція (матеріал): Фторопласт
Колір: білий
verfügbar: 50 m
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX84-C18
Produktcode: 9995
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BZX84.pdf
BZX84-C18
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,022
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 459 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 420 Stück:
400 Stück - erwartet 29.06.2025
Anzahl Preis
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10+0.84 EUR
100+0.73 EUR
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