
IRFP90N20DPBF

Produktcode: 23066
Hersteller: IRGehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 94
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 6040/180
JHGF: THT
auf Bestellung 37 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 2.88 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 94A Power dissipation: 580W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 94A Power dissipation: 580W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 580W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFP90N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 580W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V |
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IRFP4227PBF Produktcode: 26521
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 65
Rds(on), Ohm: 0.021
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 65
Rds(on), Ohm: 0.021
JHGF: THT
auf Bestellung 39 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.40 EUR |
27 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-27R-Hitano) Produktcode: 11071
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 27 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 27 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 16326 Stück
1188 Stück - stock Köln
15138 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Anzahl | Preis |
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10+ | 0.01 EUR |
100+ | 0.01 EUR |
Schaltlitze mit PTEF-Isoliation MGTF-0,12mm Produktcode: 10556
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Lieblingsprodukt
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Kabel, Draht, Flachbandkabel, Netzkabel > Litze
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 0,12 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: мідь
Ізоляція (матеріал): Фторопласт
Колір: білий
Група: Провід монтажний
Розріз, мм.кв: 0,12 mm²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: мідь
Ізоляція (матеріал): Фторопласт
Колір: білий
verfügbar: 50 m
BZX84-C18 Produktcode: 9995
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,022
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,022
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
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Anzahl | Preis |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
UC3845BN Produktcode: 4328
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 84 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 800 Stück:
400 Stück - erwartet 20.06.2025400 Stück - erwartet 29.06.2025
Anzahl | Preis |
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1+ | 1.06 EUR |
10+ | 0.84 EUR |
100+ | 0.73 EUR |