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IRFP90N20DPBF

IRFP90N20DPBF

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Produktcode: 23066
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 94 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6040/180
Montage: THT
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IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF Infineon Technologies irl1404spbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF Infineon Technologies irfp90n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562ccb60202f Description: MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
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50+5.55 EUR
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IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON INFN-S-A0012838469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP90N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 580W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
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31+7.52 EUR
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IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp90n20d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF Infineon Technologies irl1404spbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP90N20DPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4002 Stücke:
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500+4.15 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP90N20DPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
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IRFP90N20DPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP90N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 580W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRFP90N20DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 292 Stücke:
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IRFP90N20DPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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ES1J
Produktcode: 3349
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ES1 series.pdf
ES1J
Hersteller: YJ/TSC/HOTTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 20 ns
Montage: SMD
Warennummer: 8541 10 00 90
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  • 187 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.15 EUR
10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 8 St.
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10nF 500V X7R M(+/-20%) (R20W103M2HH5-L-Hitano)
Produktcode: 3318
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
10nF 500V X7R M(+/-20%) (R20W103M2HH5-L-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 500 V
TKE (Dielektrikum): X7R
Toleranz: ±20% M
Rastermaß: 5,08 mm
Part Number: R20W103M2HH5-L
auf Bestellung: 8177 St.
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AnzahlPrivatkunde
8+0.15 EUR
10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
10000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 8 St.
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VCR-20D681K (Varistor)
Produktcode: 3244
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VCR-20D_081201.pdf
VCR-20D681K (Varistor)
Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 420/560 V
Varistorspannung, V: 680(612...748) V
Max. Spannung und Ansprechstrom, V@A: 1120@100 B@A
Imax.(8/20mcs): 6500 A
Leistung, W: 1 W
Kapazität, pF: 600 pF
Größe: 20D
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet
auf Bestellung: 706 St.
  • 706 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1uF 50V ECR 5x11mm (ECR010M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3144
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ECR_081225.pdf
1uF 50V ECR 5x11mm (ECR010M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 373 St.
  • 373 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5882 St.
  • 5882 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
28+0.043 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1nF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N102J1HL2-L-Hitano)
Produktcode: 2901
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
1nF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N102J1HL2-L-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 50 V
TKE (Dielektrikum): NP0
Toleranz: ±5% J
Rastermaß: 2,54 mm
Part Number: R15N102J1HL-2L
verfügbar: 111 St.
  • 111 St. - stock Köln
auf Bestellung: 4522 St.
  • 4522 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+0.12 EUR
12+0.11 EUR
100+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
10000+0.025 EUR
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