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IRFPE30

IRFPE30

TO247AC_Side.jpg
Produktcode: 23708
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
verfügbar 5 Stück:
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Technische Details IRFPE30 IR

  • MOSFET, N TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:4.1A
  • On State Resistance:3ohm
  • Case Style:TO-247AC
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:800V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:16A
  • Voltage Vds:800V
  • Transistor Case Style:TO-247AC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRFPE30 IRFPE30 Hersteller : Vishay 91246.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
IRFPE30 IRFPE30 Hersteller : Vishay Siliconix TO247AC_Side.jpg Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRFPE30 IRFPE30 Hersteller : Vishay / Siliconix TO247AC_Side.jpg MOSFET RECOMMENDED ALT IRFPE30PBF
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