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IRFPE50

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Produktcode: 4823
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 7,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3100/200
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFPE50 IRFPE50 JSMicro Semiconductor info-tirfpe50.pdf IRFPE50 JSMICRO Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFPE50; TIRFPE50 JSM
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IRFPE50 IRFPE50 Siliconix info-tirfpe50.pdf IRFPE50 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFPE50; TIRFPE50
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IRFPE50
Hersteller: JSMicro Semiconductor
IRFPE50 JSMICRO Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFPE50; TIRFPE50 JSM
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7+5.53 EUR
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IRFPE50
Hersteller: Siliconix
IRFPE50 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFPE50; TIRFPE50
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+8.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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