IRFPE50 Siliconix
Hersteller: SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; IRFPE50 TIRFPE50
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Technische Details IRFPE50 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFPE50
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRFPE50 Produktcode: 4823 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 800 Idd,A: 07.08.2015 Rds(on), Ohm: 01.02.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 3100/200 JHGF: THT |
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IRFPE50 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFPE50 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFPE50 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFPE50PBF |
Produkt ist nicht verfügbar |