IRFPE50
Produktcode: 4823
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 07.08.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/200
JHGF: THT
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Weitere Produktangebote IRFPE50 nach Preis ab 6.91 EUR bis 6.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRFPE50 | Hersteller : Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; IRFPE50 TIRFPE50 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFPE50 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFPE50 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP |
Produkt ist nicht verfügbar |