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Technische Details IRFPF50PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFPF50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.7 A, 1.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 190W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Weitere Produktangebote IRFPF50PBF nach Preis ab 5.13 EUR bis 15.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRFPF50PBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPF50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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IRFPF50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPF50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPF50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPF50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFPF50PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP |
auf Bestellung 271 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFPF50PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFPF50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.7 A, 1.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
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IRFPF50PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFPF50PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4.2A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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| IRFPF50PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 400 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 7.93 EUR |
| IRFPF50PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 100 Stücke:
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| 21+ | 8.51 EUR |
| IRFPF50PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 21+ | 8.53 EUR |
| IRFPF50PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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| IRFPF50PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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| 21+ | 8.72 EUR |
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| 500+ | 5.13 EUR |
| IRFPF50PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 900V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 9.84 EUR |
| 25+ | 8.87 EUR |
| 75+ | 7.66 EUR |
| 100+ | 7.24 EUR |
| 125+ | 6.96 EUR |
| 200+ | 6.53 EUR |
| IRFPF50PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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| 10+ | 9.21 EUR |
| 100+ | 7.6 EUR |
| 500+ | 6.58 EUR |
| IRFPF50PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFPF50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.7 A, 1.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: VISHAY - IRFPF50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.7 A, 1.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 1742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 15.49 EUR |
| 22+ | 10.65 EUR |
| 100+ | 7.31 EUR |
| 500+ | 5.62 EUR |
| 1000+ | 5.22 EUR |
| IRFPF50PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 15.73 EUR |
| 25+ | 9.35 EUR |
| 50+ | 8.53 EUR |
| 100+ | 7.83 EUR |
| IRFPF50PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)