IRFPW4468PBFXKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 7.09 EUR |
| 10+ | 5.68 EUR |
| 100+ | 4.59 EUR |
| 480+ | 4.08 EUR |
| 1200+ | 3.5 EUR |
| 2640+ | 3.29 EUR |
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Technische Details IRFPW4468PBFXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFPW4468PBFXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 0.0026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFPW4468PBFXKSA1 nach Preis ab 3.91 EUR bis 8.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IRFPW4468PBFXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V |
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IRFPW4468PBFXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFPW4468PBFXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 0.0026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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