Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFR110PBF
IRFR110PBF

IRFR110PBF

sihfr110.pdf
Produktcode: 85835
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRFR110PBF nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFR110PBF IRFR110PBF Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+0.84 EUR
229+0.62 EUR
255+0.53 EUR
525+0.47 EUR
1050+0.45 EUR
2025+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF IRFR110PBF Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+0.84 EUR
185+0.78 EUR
375+0.72 EUR
525+0.68 EUR
1050+0.64 EUR
2025+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF IRFR110PBF Vishay sihfr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.85 EUR
228+0.63 EUR
254+0.56 EUR
525+0.5 EUR
1050+0.49 EUR
2025+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY IRFR110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.32 EUR
117+0.61 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
375+0.45 EUR
525+0.44 EUR
1050+0.42 EUR
2025+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF IRFR110PBF Vishay Semiconductors sihfr110.pdf MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
auf Bestellung 5433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.13 EUR
10+1.08 EUR
100+0.86 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
24000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF IRFR110PBF Vishay Siliconix sihfr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.92 EUR
75+1.31 EUR
150+1.18 EUR
525+0.99 EUR
1050+0.91 EUR
2025+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY VISH-S-A0013857044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF sihfr110.pdf
IRFR110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
174+0.84 EUR
229+0.62 EUR
255+0.53 EUR
525+0.47 EUR
1050+0.45 EUR
2025+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF sihfr110.pdf
IRFR110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
175+0.84 EUR
185+0.78 EUR
375+0.72 EUR
525+0.68 EUR
1050+0.64 EUR
2025+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF sihfr110.pdf
IRFR110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
173+0.85 EUR
228+0.63 EUR
254+0.56 EUR
525+0.5 EUR
1050+0.49 EUR
2025+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF IRFR110PBF.pdf
IRFR110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
55+1.32 EUR
117+0.61 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
375+0.45 EUR
525+0.44 EUR
1050+0.42 EUR
2025+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF sihfr110.pdf
IRFR110PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
auf Bestellung 5433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.13 EUR
10+1.08 EUR
100+0.86 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
24000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF sihfr110.pdf
IRFR110PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+2.92 EUR
75+1.31 EUR
150+1.18 EUR
525+0.99 EUR
1050+0.91 EUR
2025+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR110PBF VISH-S-A0013857044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR110PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH