IRFR110PBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRFR110PBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFR110PBF nach Preis ab 0.37 EUR bis 3.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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IRFR110PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5240 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR110PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 5240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp |
auf Bestellung 3591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR110PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR110PBF | Hersteller : IR |
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=100V; Id=4,3A; Rds=0,54 Ohm |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR110PBF Produktcode: 85835
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFR110PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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IRFR110PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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