Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFR1205

IRFR1205

IRFR%2CU1205.pdf
Produktcode: 150970
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFR1205

  • MOSFET, N D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:37A
  • On State Resistance:0.02ohm
  • Case Style:TO-252 (D-Pak)
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:69W
  • Power Dissipation Pd:69W
  • Pulse Current Idm:150A
  • SMD Marking:IRFR1205
  • Transistor Case Style:TO-252

Weitere Produktangebote IRFR1205 nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.48 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 536000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 34625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.68 EUR
4000+0.63 EUR
6000+0.6 EUR
10000+0.57 EUR
14000+0.55 EUR
20000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 536000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.79 EUR
4000+0.71 EUR
6000+0.66 EUR
10000+0.6 EUR
14000+0.56 EUR
20000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr1205pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+0.86 EUR
118+0.61 EUR
142+0.51 EUR
152+0.47 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205 IRFR1205 International Rectifier info-tirfr1205.pdf description N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205 IRFR1205 International Rectifier info-tirfr1205.pdf description N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 34669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.45 EUR
12+1.55 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR1205_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
auf Bestellung 10506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.57 EUR
100+0.91 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF Infineon irfr1205.pdf DPAK=TO-252-3 Транзистори
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF infineonirfr1205datasheeten.pdf
IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 536000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047
IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 34625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2000+0.68 EUR
4000+0.63 EUR
6000+0.6 EUR
10000+0.57 EUR
14000+0.55 EUR
20000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF infineonirfr1205datasheeten.pdf
IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 536000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2000+0.79 EUR
4000+0.71 EUR
6000+0.66 EUR
10000+0.6 EUR
14000+0.56 EUR
20000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF irfr1205pbf.pdf
IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 37A
Power dissipation: 107W
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
84+0.86 EUR
118+0.61 EUR
142+0.51 EUR
152+0.47 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205 description info-tirfr1205.pdf
IRFR1205
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
25+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205 description info-tirfr1205.pdf
IRFR1205
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
25+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF infineonirfr1205datasheeten.pdf
IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
74+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047
IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 34669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
8+2.45 EUR
12+1.55 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF Infineon_IRFR1205_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
auf Bestellung 10506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.48 EUR
10+1.57 EUR
100+0.91 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF infineonirfr1205datasheeten.pdf
IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR1205TRPBF irfr1205.pdf
Hersteller: Infineon
DPAK=TO-252-3 Транзистори
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
7+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

2SD1802T-TL-E
Produktcode: 170978
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
2sb1202-d.pdf
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
600 Ohm 25% 100MHz 0805 (MI0805K601R-10)
Produktcode: 168370
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Drosseln > Induktivität 0805
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Прокладка силиконовая TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13*18mm(0.3mm) )
Produktcode: 123772
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Прокладка силиконовая TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13*18mm(0.3mm) )
Isoliermaterialien
Gruppe: Прокладка теплопровідна
Beschreibung: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
білий
auf Bestellung 762 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-47R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 51205
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
47 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-47R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 47 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
auf Bestellung 1168 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
10+0.024 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Relais RT424730 [7-1393243-9]
Produktcode: 34699
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RT424730.pdf
Relais RT424730 [7-1393243-9]
Hersteller: Fujitsu Takamisawa
Relais
Relaistyp: Relais elektromagnetisch
Beschreibung: Kontaktart: DPDT; U-Spule: 230V ; I-komm: 8А
Abmessungen: 29x12,7x15,7mm
Spulenspannung: 230 VAC
Strom max: 8 A
Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
Schaltspannung: 250 VAC
auf Bestellung 62 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5 St.:
AnzahlPreis
1+3.4 EUR
10+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH