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IRFR1205

Name: IRFR1205TRPBF
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: 749367-8
Price: 72.00 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 150970

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRFR1205

MOSFET, N D-PAK
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Cont Current Id:37A
On State Resistance:0.02ohm
Case Style:TO-252 (D-Pak)
Termination Type:SMD
Current Temperature:25`C
External Depth:10.5mm
External Length / Height:2.55mm
External Width:6.8mm
Full Power Rating Temperature:25`C
Max Voltage Vds:55V
No. of Transistors:1
Power Dissipation:69W
Power Dissipation Pd:69W
Pulse Current Idm:150A
SMD Marking:IRFR1205
Transistor Case Style:TO-252

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Bezeichnung

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Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

IRFR1205TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 107W
Drain current: 37A

auf Bestellung 1899 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
120+	0.6 EUR
153+	0.47 EUR
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IRFR1205

Hersteller : International Rectifier

N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 500 Stücke:

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Anzahl	Preis
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IRFR1205TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Anzahl	Preis
2000+	0.56 EUR

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IRFR1205TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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153+	0.47 EUR
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IRFR1205TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047

Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

auf Bestellung 22000 Stücke:

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2000+	0.62 EUR
4000+	0.58 EUR
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IRFR1205TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon-IRFR1205-DataSheet-v01_01-EN.pdf

MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC

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2+	1.54 EUR
10+	1.19 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.65 EUR
4000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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IRFR1205TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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8+	2.32 EUR
12+	1.47 EUR
100+	0.98 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR

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IRFR1205TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR1205TRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR1205

Hersteller : International Rectifier

N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

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Anzahl	Preis
25+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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IRFR1205TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

DPAK=TO-252-3

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFR1205

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

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IRFR1205TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR1205TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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