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IRFR1205

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Produktcode: 150970
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRFR1205

  • MOSFET, N D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:37A
  • On State Resistance:0.02ohm
  • Case Style:TO-252 (D-Pak)
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:69W
  • Power Dissipation Pd:69W
  • Pulse Current Idm:150A
  • SMD Marking:IRFR1205
  • Transistor Case Style:TO-252

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 536000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.75 EUR
4000+0.69 EUR
6000+0.67 EUR
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14000+0.61 EUR
20000+0.6 EUR
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IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 536000 Stücke:
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2000+0.95 EUR
4000+0.86 EUR
6000+0.79 EUR
10000+0.73 EUR
14000+0.67 EUR
20000+0.63 EUR
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IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr1205pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
auf Bestellung 659 Stücke:
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67+1.27 EUR
109+0.79 EUR
140+0.61 EUR
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IRFR1205 IRFR1205 International Rectifier info-tirfr1205.pdf description N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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IRFR1205 IRFR1205 International Rectifier info-tirfr1205.pdf description N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
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IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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13+1.74 EUR
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IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR1205_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
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IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3569 Stücke:
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57+4.43 EUR
112+2.08 EUR
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500+1.05 EUR
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IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Infineon Technologies infineonirfr1205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
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IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 536000 Stücke:
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IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 30000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 536000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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4000+0.86 EUR
6000+0.79 EUR
10000+0.73 EUR
14000+0.67 EUR
20000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+1.27 EUR
109+0.79 EUR
140+0.61 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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IRFR1205 description info-tirfr1205.pdf
IRFR1205
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFR1205 description info-tirfr1205.pdf
IRFR1205
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
25+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 31954 Stücke:
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13+1.74 EUR
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500+0.9 EUR
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IRFR1205TRPBF Infineon_IRFR1205_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
auf Bestellung 8491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+2.05 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.77 EUR
4000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR1205TRPBF INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3569 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
57+4.43 EUR
112+2.08 EUR
148+1.45 EUR
500+1.05 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IRFR1205TRPBF infineonirfr1205datasheeten.pdf
IRFR1205TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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600 Ohm 25% 100MHz 0805 (MI0805K601R-10)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Produktcode: 123772
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Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
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Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Größen: 13x18x0.3mm mit Bohrung Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13x18x0,3mm
Material: Silikon
Farbe: Weiß
erwartet: 30000 St.
  • 5000 St. - erwartet 09.08.2026
  • 5000 St. - erwartet 09.08.2026
  • 5000 St. - erwartet 09.08.2026
  • 5000 St. - erwartet 09.08.2026
  • 5000 St. - erwartet 09.08.2026
  • 5000 St. - erwartet 09.08.2026
auf Bestellung: 7 St.
  • 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.039 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.019 EUR
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47 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-47R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Produktcode: 51205
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47 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-47R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 47 Ohm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
auf Bestellung: 1128 St.
  • 1128 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Relais RT424730 [7-1393243-9]
Produktcode: 34699
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RT424730.pdf
Relais RT424730 [7-1393243-9]
Hersteller: TE Connectivity
Relais
Relaistyp: Relais mittlerer Leistung (5-20A)
Beschreibung: Kontakttyp: DPDT; USpule: 230V; I-Schalt: 8A
Abmessungen: 29x12,7x15,7 mm
Spulenspannung: 230 VAC
Strom max.: 8 А
Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
Schaltspannung: 250 VAC
auf Bestellung: 48 St.
  • 48 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.37 EUR
10+6.69 EUR
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