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IRFR120NTRPBF

IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.57 EUR
4000+0.52 EUR
6000+0.5 EUR
10000+0.48 EUR
14000+0.46 EUR
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Technische Details IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 48W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm.

Weitere Produktangebote IRFR120NTRPBF nach Preis ab 0.51 EUR bis 3.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.82 EUR
74+1.17 EUR
111+0.77 EUR
250+0.68 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.93 EUR
145+1.18 EUR
178+0.94 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR120N-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
auf Bestellung 31037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.37 EUR
100+0.96 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d description Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 17746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.37 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
auf Bestellung 3829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
132+1.77 EUR
177+1.21 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IRFR120NTRPBF description infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.58 EUR
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IRFR120NTRPBF description infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR120NTRPBF description infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR120NTRPBF description infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.67 EUR
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IRFR120NTRPBF description irfr120npbf.pdf
IRFR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2308 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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74+1.17 EUR
111+0.77 EUR
250+0.68 EUR
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2000+0.51 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+1.93 EUR
145+1.18 EUR
178+0.94 EUR
500+0.75 EUR
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2000+0.54 EUR
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IRFR120NTRPBF description Infineon-IRFR120N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
auf Bestellung 31037 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.15 EUR
10+1.37 EUR
100+0.96 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR120NTRPBF description irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
IRFR120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 17746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.18 EUR
16+1.37 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFR120NTRPBF description INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
auf Bestellung 3829 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
64+3.95 EUR
132+1.77 EUR
177+1.21 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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