IRFR120NTRPBF

IRFR120NTRPBF Infineon Technologies


infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.53 EUR
4000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRFR120NTRPBF nach Preis ab 0.34 EUR bis 2.20 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.53 EUR
4000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.59 EUR
4000+0.54 EUR
6000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
222+0.67 EUR
223+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.37 EUR
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 222
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
148+1.00 EUR
150+0.95 EUR
199+0.69 EUR
250+0.66 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
108+1.38 EUR
148+0.96 EUR
150+0.92 EUR
199+0.67 EUR
250+0.63 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363096.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
auf Bestellung 16178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.16 EUR
10+1.30 EUR
100+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.63 EUR
4000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 12350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.20 EUR
15+1.22 EUR
100+0.85 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @; D-PAK
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH