| Anzahl | Preis |
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| 357+ | 0.4 EUR |
| 377+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
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Technische Details IRFR120PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFR120PBF nach Preis ab 0.33 EUR bis 3.41 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFR120PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Gate charge: 16nC |
auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 100V 7.7 Amp |
auf Bestellung 5731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR120PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR120PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Код виробника: SiHFR120-E3 DPAK=TO-252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |