| Anzahl | Privatkunde |
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| 357+ | 0.49 EUR |
| 377+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
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Technische Details IRFR120PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm.
Weitere Produktangebote IRFR120PBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 4.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRFR120PBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1442 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 4.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 42W Gate charge: 16nC |
auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 100V 7.7 Amp |
auf Bestellung 4396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR120PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm |
auf Bestellung 1539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR120PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR120PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFR120PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 328+ | 0.54 EUR |
| 356+ | 0.48 EUR |
| 376+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| IRFR120PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.19 EUR |
| 156+ | 1.12 EUR |
| IRFR120PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 16nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 16nC
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 1.69 EUR |
| 84+ | 1.02 EUR |
| 102+ | 0.83 EUR |
| 106+ | 0.81 EUR |
| 150+ | 0.75 EUR |
| IRFR120PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 7.7 Amp
MOSFETs N-Chan 100V 7.7 Amp
auf Bestellung 4396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.81 EUR |
| 10+ | 1.5 EUR |
| 100+ | 1.21 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| 3000+ | 0.96 EUR |
| 6000+ | 0.94 EUR |
| IRFR120PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
Description: VISHAY - IRFR120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 3.38 EUR |
| 140+ | 1.67 EUR |
| 180+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| IRFR120PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.19 EUR |
| 75+ | 1.89 EUR |
| 150+ | 1.7 EUR |
| 525+ | 1.44 EUR |
| 1050+ | 1.32 EUR |
| 2025+ | 1.23 EUR |
| IRFR120PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFR120PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)