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IRFR13N15DPBF International Rectifier

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Hersteller: International Rectifier
DPAK=TO-252 Транзистори
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Technische Details IRFR13N15DPBF International Rectifier

N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 14 А, Ptot, Вт = 86, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 8,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 75 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR13N15DPBF International Rectifier/Infineon irfr13n15dpbf_IR.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 14 А, Ptot, Вт = 86, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 8,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
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IRFR13N15DPBF IRFR13N15DPBF Infineon Technologies infineon-irfr13n15d-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d4bbc205a description Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
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IRFR13N15DPBF IRFR13N15DPBF Infineon / IR Infineon_IRFR13N15D_DataSheet_v01_01_EN-1228327.pdf description MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 19nC
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 14 А, Ptot, Вт = 86, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 8,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
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IRFR13N15DPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
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IRFR13N15DPBF description Infineon_IRFR13N15D_DataSheet_v01_01_EN-1228327.pdf
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MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 19nC
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