IRFR13N15DTRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFR13N15DTRPBF Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 14A, Power dissipation: 86W, Case: DPAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFR13N15DTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 14A Power dissipation: 86W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR13N15DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
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IRFR13N15DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
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IRFR13N15DTRPBF | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT 150V 14A 180mOhm 19nC |
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IRFR13N15DTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 14A Power dissipation: 86W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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