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IRFR18N15DTRPBF

IRFR18N15DTRPBF Infineon Technologies

irfr18n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d7a002069
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
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Technische Details IRFR18N15DTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR18N15DTRPBF IRFR18N15DTRPBF Infineon Technologies irfr18n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d7a002069 Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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IRFR18N15DTRPBF IRFR18N15DTRPBF Infineon / IR Infineon_IRFR18N15D_DataSheet_v01_01_EN-1228438.pdf MOSFET MOSFT 150V 18A 125mOhm 28nC
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IRFR18N15DTRPBF IRFR18N15DTRPBF INFINEON 139872.pdf Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRFR18N15DTRPBF IRFR18N15DTRPBF INFINEON 139872.pdf Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFR18N15DTRPBF Infineon Technologies irfr18n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d7a002069 Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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IRFR18N15DTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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MOSFET MOSFT 150V 18A 125mOhm 28nC
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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