IRFR220N
Produktcode: 7943
Hersteller: IRGehäuse: D2Pak
Uds,V: 200
Idd,A: 04.06.2015
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
JHGF: SMD
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Möglichen Substitutionen IRFR220N IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR220NPBF Produktcode: 113425 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 200 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 600 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 300/15 JHGF: SMD |
auf Bestellung 402 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRFR220N
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR220N | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLML2060TRPBF Produktcode: 38415 |
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.48
Ciss, pF/Qg, nC: 64/.67
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.48
Ciss, pF/Qg, nC: 64/.67
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 1790 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.09 EUR |
| MMBT5551 Produktcode: 160587 |
|
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| IRFR9024NTRPBF Produktcode: 23070 |
 |
|
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
verfügbar: 673 Stück
erwartet:
2000 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.34 EUR |
| 10+ | 0.31 EUR |
| IRFZ44NSTRLPBF Produktcode: 122891 |
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
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| 1000uF 25V RTE 10x20mm (low esr) (RTE1E102M1020F-LEAGUER) (электролитический конденсатор низкоимпедансный) Produktcode: 180538 |
|
Hersteller: Leaguer
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: RTE
Temp.Bereich: низькоімпедансні
Abmessungen: -40...+105°C
Lebensdauer: 10x20mm
№ 8: 1000 годин
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: RTE
Temp.Bereich: низькоімпедансні
Abmessungen: -40...+105°C
Lebensdauer: 10x20mm
№ 8: 1000 годин
auf Bestellung 540 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)