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IRFR2307ZTRLPBF

IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies irfr2307zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies irfr2307zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies irfr2307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d98be2074 Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies irfr2307zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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356+1.86 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
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IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR2307Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg
auf Bestellung 682 Stücke:
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1+4.06 EUR
10+2.62 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.34 EUR
3000+1.17 EUR
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IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies irfr2307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d98be2074 Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
auf Bestellung 7703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
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IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837873-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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101+2.13 EUR
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IRFR2307ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
356+1.86 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
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MOSFETs MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.06 EUR
10+2.62 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.34 EUR
3000+1.17 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
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10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
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IRFR2307ZTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2536 Stücke:
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45+5.65 EUR
69+3.37 EUR
101+2.13 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH