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Technische Details IRFR320TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFR320TRPBF nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRFR320TRPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR320TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR320TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR320TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR320TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR320TRPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 8865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR320TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR320TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR320TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR320TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR320TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR320TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR320TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.8Ω Pulsed drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 20nC |
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