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IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies 651infineon-irfr3710z-ds-v01_02-en.pdffileid5546d462533600a401535631.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3710ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
47+1.55 EUR
83+0.87 EUR
88+0.82 EUR
2000+0.80 EUR
4000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3710ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR3710Z_DS_v01_02_EN-1227490.pdf MOSFETs MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
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10+2.31 EUR
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250+1.54 EUR
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2000+1.10 EUR
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.015 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : INFINEON irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.015 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 69 Stücke:
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies 651infineon-irfr3710z-ds-v01_02-en.pdffileid5546d462533600a401535631.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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