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IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2000+1.05 EUR
4000+1 EUR
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Technische Details IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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4000+1.02 EUR
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.27 EUR
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2677 Stücke:
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350+1.57 EUR
500+1.39 EUR
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3710ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1316 Stücke:
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33+2.19 EUR
40+1.82 EUR
45+1.61 EUR
54+1.34 EUR
62+1.16 EUR
100+1.02 EUR
250+0.88 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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54+2.75 EUR
76+1.92 EUR
100+1.42 EUR
500+1.1 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.97 EUR
4000+0.95 EUR
6000+0.86 EUR
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3710Z_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
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1+4.07 EUR
10+2.62 EUR
100+1.78 EUR
500+1.5 EUR
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2000+1.27 EUR
4000+1.2 EUR
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 51932 Stücke:
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5+4.28 EUR
10+2.74 EUR
100+1.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 46 Stücke:
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IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1343 Stücke:
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IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
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AnzahlPreis
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14000+0.84 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 86000 Stücke:
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AnzahlPreis
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 86000 Stücke:
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AnzahlPreis
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IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR3710ZTRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
350+1.57 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
350+1.57 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
33+2.19 EUR
40+1.82 EUR
45+1.61 EUR
54+1.34 EUR
62+1.16 EUR
100+1.02 EUR
250+0.88 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3710ZTRPBF infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
54+2.75 EUR
76+1.92 EUR
100+1.42 EUR
500+1.1 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.97 EUR
4000+0.95 EUR
6000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IRFR3710ZTRPBF Infineon_IRFR3710Z_DS_v01_02_EN.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
auf Bestellung 18100 Stücke:
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AnzahlPreis
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10+2.62 EUR
100+1.78 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.27 EUR
4000+1.2 EUR
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IRFR3710ZTRPBF irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb
IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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10+2.74 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 46 Stücke:
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IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1343 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3710ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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