Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFR4105ZPBF Infineon
IRFR4105ZPBF

IRFR4105ZPBF Infineon


irfr4105zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356321faf20ee
Produktcode: 177671
Hersteller: Infineon
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 21 A
Rds(on), Ohm: 24,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/18
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar

Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFR4105ZPBF Infineon

  • MOSFET, N, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:30A
  • On State Resistance:0.0245ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:TO-252
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Power Dissipation Ptot:48W
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:48W
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:120A
  • SMD Marking:IRFR4105ZPBF
  • Transistor Case Style:D-PAK

Weitere Produktangebote IRFR4105ZPBF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRFR4105ZPBF IRFR4105ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr4105zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356321faf20ee Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR4105ZPBF IRFR4105ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR4105Z_DataSheet_v01_01_EN-1732811.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms 18nC
Produkt ist nicht verfügbar

Mit diesem Produkt kaufen

330pF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B331K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1604
X7R_X5R.pdf
330pF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B331K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 330pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 8455 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.022 EUR
100+ 0.0074 EUR
1000+ 0.0059 EUR
Mindestbestellmenge: 10
30 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3728
RC_series.pdf
30 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 30 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 7460 Stück
erwartet: 20000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0038 EUR
100+ 0.0024 EUR
1000+ 0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
1,0 kOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 35905
1,0 kOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 1,0 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
auf Bestellung 1222 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4500 Stück:
4000 Stück - erwartet
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.024 EUR
100+ 0.02 EUR
1000+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Produktcode: 52241
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 5773 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SR1060L
Produktcode: 172859
datasheet-sr1060l.pdf
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-277
Vrrm(V): 60 V
If(A): 10 A
VF@IF: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 275 A
Produkt ist nicht verfügbar