Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR4105ZTRPBF
IRFR4105ZTRPBF

IRFR4105ZTRPBF Infineon Technologies

001019.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
138+1.05 EUR
157+0.89 EUR
179+0.75 EUR
200+0.69 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 138
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFR4105ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR4105ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IRFR4105ZTRPBF nach Preis ab 0.7 EUR bis 1.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFR4105ZTRPBF IRFR4105ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR4105Z_DataSheet_v01_01_EN-3363219.pdf MOSFETs MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg
auf Bestellung 3012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.8 EUR
10+1.47 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4105ZTRPBF IRFR4105ZTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838400-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4105ZTRPBF IRFR4105ZTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838400-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4105ZTRPBF IRFR4105ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies 001019.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4105ZTRPBF IRFR4105ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies 001019.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4105ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfr4105zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356321faf20ee IRFR4105ZTRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4105ZTRPBF IRFR4105ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr4105zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356321faf20ee Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4105ZTRPBF IRFR4105ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr4105zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356321faf20ee Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH